Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy dosahuje podle leakera fantastických výsledků. Je to ale pravda?

Americký čipový velikán Qualcomm by se svým nejnovějším vlajkovým řešením Snapdragon 8 Gen 3 měl pochlubit veřejnosti už ke konci příštího měsíce. I letos by měl vyjít ve dvou variantách, přičemž ta standardní zamíří do většiny špičkových Android telefonů a ona druhá se podívá pouze do zařízení od Samsungu, minimálně tedy zpočátku.

Na základě dřívějších uniklých testů jsme už zhruba mohli odtušit, jak výkonný tento čip bude, ale z nového tvrzení renomovaného leakera je patrné, že jsme se dosud neměli možnost vidět jeho plný potenciál. Jinak si to totiž nejnovější příspěvek od Tech_Reve nedokážu vysvětlit.

Známý insider na sociální síti X prohlásil, že Snapdragon 8 Gen 3 for Galaxy, čili speciální varianta chystaného SoC, s níž se setkáme v řadě Samsung Galaxy S24 a později zřejmě také Galaxy Tab S9, dosahuje v zátěžových testech Geekbench 6 až na 7 400 multicore bodů.

Snapdragon 8 Gen 3 se dříve ukázal v modelu Galaxy S24 Plus, kde ve stejné disciplíně dosáhl pouze na 6 661 bodů. Je možné, že za tu dobu byly provedeny určité optimalizace, nebo že Galaxy S24 Ultra nabízí výrazně lepší chladicí systém, který umožňuje z čipu vysosat ještě víc výkonu.

Upřímně bych byl ale velmi překvapen, kdyby bylo za tak krátkou dobu udělat takhle výrazný pokrok, tudíž jsem trochu skeptický ohledně toho, zda leaker mluví pravdu.

Tvrzení, že Snapdragon 8 Gen 3 dosáhne až na 7 200 bodů, by totiž v praxi znamenalo asi 50% výkonnostní posun ve srovnání s předchůdcem, jemuž se skoro povedlo překonat 5 000hranici.

Celou pravdu se nejspíš dozvíme až na říjnovém Snapdragon Summitu, možná však ještě později.