RAM a uložiště by brzy mohly být jedním komponentem

Skloubení RAM a uložiště do jednoho balíčku není novou myšlenkou. Žádné společnosti se ale dosud takový produkt nepodařilo dostat do produkčního stavu. To ale neznamená, že v tomto směru neprobíhá výzkum.

Tým vědců z britské univerzity Lancaster vydal dokument, který ukazuje pokrok posouvající „UltraRAM“ blíže masové produkci.

UltraRAM je popisována jako technologie spojující nevolatilitu pamětí, jako je flash disk, s rychlostí a energetickou účinností mezipamětí. Podobnou technologii si vyzkoušel Intel s Optane i Samsung se Z-NAND, obě firmy s malým úspěchem.

Co se týče výrobních materiálů UltraRAM, jde o podobné polovodiče využívané v zařízeních jako LED světlech či laserech. Nový průlom vylepšuje výkon při využití substrátů křemíku oproti destičkám arsenidu gallitého. Ten je až 1 000krát dražší.

To znamená, že by se UltraRAM stala na cenu efektivním řešením. Vědci navíc slibují uchování dat po dobu i 1 000 let a 10 milionů přepisů bez degenerace paměti. I poslední z parametrů by byl pro mnoho výrobců dostatečný motivátor k přechodu, zvlášť pokud bude paměť rychlá jako RAM.

Další zajímavostí je, že produkt využívá kvantově mechanického efektu rezonančního tunelování, který umožní přepnout bariéru z nepropustné na propustnou při vystavení napětí. Tento proces je mnohem efektivnějším oproti běžným způsobům využívaným v dnešních RAM.

Stejný proces umožňuje kompaktní architekturu s vysokou hustotou, což technicky výrobce nechá do menších rozměrů vměstnat více paměti. Vědci ale musí ještě ujít dlouhou cestu.