Samsung plánuje pro rok 2027 skokový nárůst výroby pamětí pro AI

Samsung se připravuje na výrazné škálování výroby HBM4. V roce 2027 by mohl zpracovávat až 2,5krát větší objem než letos. Naznačuje to prudký růst objednávek skleněných wafer carrierů, které firma využívá při výrobě HBM a nechává je regenerovat u externích dodavatelů. Jejich měsíční objem má vzrůst z letošních 20 000 na přibližně 50 000 kusů.

Skleněný wafer carrier funguje během výroby jako dočasný mechanický substrát. Wafer s paměťovými čipy se na něj pomocí procesu temporary bonding upevní před následným backgrindingem, při kterém se křemíkový wafer zbrousí na velmi malou tloušťku potřebnou pro vertikální skládání jednotlivých vrstev HBM. Bez mechanické podpory by extrémně tenký wafer mohl během zpracování deformovat, prasknout nebo výrazně snížit výrobní výtěžnost.

Carriery navíc nejsou jednorázové. Po odstranění waferu procházejí čištěním a mohou být znovu nasazeny do výrobního cyklu. Právě objem jejich regenerace tak může sloužit jako poměrně zajímavý indikátor množství waferů, které Samsung skutečně posílá přes jednotlivé výrobní kroky.

Vývoj objednávek ukazuje rychlé navyšování kapacity. Ještě loni Samsung využíval přibližně 10 000 carrierů měsíčně, letos se objem zvýšil na 20 000 a pro rok 2027 se počítá až s 50 000 kusy. Samotný 2,5násobný růst ale nelze automaticky převést na stejně velké zvýšení produkce HBM. Výsledná kapacita závisí na počtu opakovaných cyklů carrieru, konkrétním výrobním flow i výtěžnosti jednotlivých procesů. Podle odhadů z polovodičového průmyslu však čísla ukazují minimálně na možnost zdvojnásobení produkce HBM4 a HBM4E.

Hlavním důvodem expanze je pokračující růst poptávky po vysokorychlostních pamětech pro AI akcelerátory a datacentra. HBM4 má být klíčovou součástí nové generace výpočetních platforem, včetně akcelerátorů NVIDIA Vera Rubin, kde se paměťová propustnost a kapacita HBM stávají jedním z hlavních parametrů celého výpočetního subsystému.