Samsung míří na výrobu paměti 1D do konce roku 2027, cílí na AI čipy HBM5

Samsung chystá další generaci operačních pamětí DRAM a podle posledních novinek počítá s nasazením technologie 1D, tedy sedmé generace 10nm třídy. Výrobní zařízení pro nový proces by měla začít do továren proudit během roku 2027, zatímco sériová výroba se očekává na přelomu let 2027 a 2028.

Nová generace má navázat na současný proces 1C DRAM a nabídnout vyšší hustotu, lepší energetickou efektivitu i vyšší výkon. Přestože se podobné paměti uplatní také v běžných počítačích a serverech, hlavní význam spočívá v oblasti umělé inteligence, kde rychlost práce s daty hraje stále větší roli.

Klíčovou roli má technologie sehrát u budoucích pamětí HBM5E, které budou určeny pro výkonné AI akcelerátory. Paměti typu HBM skládají několik vrstev čipů na sebe a díky extrémně širokému propojení dokážou přenášet mnohonásobně více dat než klasické moduly. Právě proto patří mezi nejdůležitější součásti moderních systémů pro trénování a provoz velkých jazykových modelů.

Vývoj ale stále pokračuje a technologie zatím není připravena pro komerční nasazení. Podle dostupných informací se Samsungu daří zlepšovat parametry procesu i výtěžnost výroby, která bývá u nejpokročilejších pamětí jedním z nejdůležitějších ukazatelů. Právě podíl bezchybných čipů často rozhoduje o tom, zda se nová technologie vyplatí vyrábět ve velkém.

Ve hře navíc není jen technologický pokrok, ale také pozice na trhu. Samsung svádí ostrý souboj se společnostmi SK Hynix a Micron, které v posledních letech v segmentu AI pamětí výrazně posílily. Úspěch generace 1D DRAM tak může rozhodnout o tom, kdo bude v příštích letech dominovat jednomu z nejrychleji rostoucích odvětví polovodičového průmyslu.