Galaxy S26 Ultra má dostat rekordně rychlou LPDDR5X RAM o rychlosti 10,7 Gbps

Zatímco se pozornost technologické komunity soustředí na nadcházející vlajkové modely, insider Ice Universe již poodhaluje detaily o generaci pro rok 2026. Jeho nejnovější zpráva se zaměřuje na operační paměť modelu Galaxy S26 Ultra. Telefon má být vybaven nejnovějšími čipy LPDDR5X od společnosti Micron, které dosahují rychlosti 10,7 Gbps. V porovnání s 9,6 Gbps u modelu S25 Ultra jde o znatelný mezigenerační skok.

Za tímto zrychlením stojí nová 1γ (1-gamma) architektura DRAM od společnosti Micron. Pokročilejší výrobní proces umožňuje nejen dosažení vyšších rychlostí, ale také výrazně lepší energetickou účinnost ve srovnání s předchozí 1β (1-beta) generací. Pro uživatele to v praxi znamená vyšší výkon bez negativního dopadu na výdrž baterie.

Hlavním důvodem pro nasazení takto rychlých pamětí je rostoucí zaměření Samsungu na umělou inteligenci běžící přímo v zařízení. Složité AI modely, které zpracovávají jazyk nebo generují obrázky, vyžadují masivní a rychlý přesun dat mezi procesorem a pamětí. Vyšší propustnost RAM je tak naprosto klíčovým předpokladem pro plynulý a efektivní chod budoucích chytrých funkcí.