Samsung konečně vyřešil přehřívání čipů Exynos

Jihokorejský výrobce oficiálně představil řadu Galaxy S26, S26+ a S26 Ultra. Základní modely S26 a S26+ pohání v řadě trhů včetně Evropy právě Exynos 2600, zatímco vlajkový S26 Ultra dostalo ve všech regionech čip Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Mezi prvními, kdo si Exynos 2600 pořádně otestoval v praxi, byl youtuber Long Ngong. V rámci testování zařízení prošel třemi tituly za sebou, konkrétně League of Legends: Wild Rift, Genshin Impact a Honkai, přičemž okolní teplota místnosti se pohybovala kolem 26 °C. Povrchová teplota Galaxy S26 při League of Legends průměrně dosahovala přibližně 32 °C. U delší herní session s Genshin Impact na modelu S26+ pak přední strana zařízení nepřekročila 38 °C a zadní panel se ustálil mezi 37 a 37,5 °C. Při hraní Honkai dosáhla přední strana maxima 39 °C a zadní těsně přes 38 °C. Čísla, která by u předchozích generací Exynosu bylo těžké si vůbec představit.

Za zlepšením nestojí jediný trik, ale kombinace 3 zásadních inženýrských rozhodnutí. Prvním je samotný výrobní proces. Exynos 2600 je vůbec první mobilní čip na světě vyrobený na 2nm procesu s architekturou Gate-All-Around.

Druhým klíčovým krokem je nový způsob balení čipu. Samsung přešel na technologii FOWLP, v překladu Fan-Out Wafer-Level Packaging, která nahrazuje tradiční substrátové balení přístupem přímo na úrovni waferu. Třetí a pravděpodobně nejzásadnější inovací je blok HPB, tedy Heat Path Block, měděný chladič umístěný přímo nad aplikačním procesorem. Přesunutí paměti DRAM na stranu a přímý kontakt chladiče s čipem snižuje tepelný odpor až o 30 %.