Samsung dohnal SK hynix, výtěžnost HBM4 dosáhla 80 %

Samsung zvedl výtěžnost paměti HBM4 na přibližně 80 %, čtyři měsíce dřív, než sám plánoval. Hranici 80 % obor označuje jako zlatou výtěžnost, protože od ní se výroba stává předvídatelnou a ziskovou. Ještě letos v únoru, kdy Samsung spustil sériovou výrobu, se pohyboval pod 60 %.

Zlepšení o víc než dvacet procentních bodů za půl roku není běžné tempo a firma ho vysvětluje změnou organizace práce. Divize paměti, slévárny a pouzdření spolupracovaly na návrhu čipu společně od začátku místo postupného předávání mezi odděleními. Přístup pomohl obejít potíže s procesem tepelného lisování nevodivé fólie, který dřív výtěžnost brzdil.

HBM4 je paměť s vysokou šířkou pásma určená pro akcelerátory umělé inteligence, kde se skládá z vrstev napříkladech 12 čipů propojených svislými průchodkami. Spojování mnoha vrstev najednou dělá výrobu náchylnou k chybám, protože stačí selhání jedné vrstvy a celý stoh je nepoužitelný. Vysoká výtěžnost proto u podobných pamětí rozhoduje o ziskovosti mnohem víc než u běžných čipů.

Vedle hlavní generace hlásí Samsung pokrok i u nástupnické paměti HBM4E, u které výtěžnost v testech spolehlivosti dosáhla 70 %. V květnu firma dodala vzorky dvanáctivrstvé verze klíčovým zákazníkům, mezi nimi i pro chystaný akcelerátor Rubin Ultra od NVIDIE. Rychlý postup u druhé generace naznačuje, že se Samsung poučil z problémů první.

Byznysový dopad je podle firmy citelný už teď. Viceprezident Kim Jae-džun uvedl, že tržby z HBM4 ve třetím čtvrtletí letošního roku vzrostou víc než trojnásobně proti čtvrtletí předchozímu. Číslo odráží kombinaci rostoucí výtěžnosti a silné poptávky ze strany výrobců AI akcelerátorů.