Samsung cílí na výrobu čipů s procesem 1 nm

Hranice miniaturizace moderních čipů se pomalu, ale neustále posouvá a Samsung nechce přijít o nejpokročilejší výrobní technologie. Divize Foundry jihokorejského gigantu si dala za cíl uvést komerčně životaschopný výrobní proces s velikostí pouhého 1 nm do provozu v roce 2031.

Pokud má být cílový termín 2031 naplněn, musí veškeré výzkumné a vývojové práce skončit nejpozději v průběhu roku 2030. Na dosažení ambiciózního cíle Samsung vsadí na inovativní architektonický princip nazývaný fork sheet. Jde o chytré řešení problému fyzikálních limitů, kdy na miniaturizovaném čipu jednoduše nelze v klasickém přístupu nacpat více tranzistorů.

Zmíněná cesta k 1 nm vede přes neustálý rozvoj stávajících 2nm GAA generací. Samsung v současné době pracuje na stabilizaci druhé generace 2nm procesu s označením SF2P, která oproti první verzi SF2 přinese zlepšení výkonu o 12%, o čtvrtinu vyšší energetickou úsporu a zhruba 8% úsporu plochy čipu. Paralelně firma připravuje i třetí generaci označenou SF2X s výhledem na rok 2028.

Na pozadí odvážných plánů do budoucna nicméně rezonují aktuální problémy s výkonností stávajícího 2nm výrobního procesu. Vlajkový čip Exynos 2600 osazený do nového modelu Galaxy S26 potvrzuje, že první generace 2nm GAA procesu má výrazné rezervy.

Jihokorejský výrobce na cestě k 1 nm rovněž musí vyřešit sérii předchozích komplikací s přechodovými technologiemi. Proces s velikostí 1.4 nm byl původně plánován na rok 2027, jenže Samsung loni přiznal posun hromadné výroby na rok 2029.