Samsung bojuje s přehříváním Exynosu 2600, plánuje výrazné změny

Po letech kritiky, kdy vlajkové čipy Exynos často výkonnostně zaostávaly za konkurencí od Snapdragonu právě kvůli problémům s přehříváním a následným snižováním výkonu, se Samsung odhodlal k radikálnímu řešení.

Podle posledních informací je chystaný čip Exynos 2600, který je v současnosti ve fázi prototypové výroby, navržen s novou technologií HPB. Půjde v podstatě o miniaturní integrovaný chladič (heatsink), který bude umístěn přímo na samotném SoC vedle paměti DRAM a bude se starat o efektivnější přenos a rozptýlení tepla.

Kromě HPB nasadí Samsung i pokročilou metodu FOWLP (Fan-out Wafer Level Packaging), která dále zlepšuje tepelnou odolnost a umožňuje dosažení vyššího vícejádrového výkonu. Technologii již s úspěchem použil u předchozího modelu Exynos 2400. Kombinace těchto dvou prvků je pro Samsung klíčová, aby zajistil, že jeho nový 2nm čip s architekturou GAA (Gate-All-Around) bude moci konečně plně konkurovat nadcházejícím vlajkovým lodím.

Právě inovativní chlazení by mělo finální verzi čipu umožnit dosáhnout vyšších a stabilnějších taktů, což se projeví na lepším jednojádrovém i vícejádrovém výkonu bez obávaného přehřívání.