Samsung a TSMC vsadili na novou technologii litografie od ASML, cílem je zvýšit výrobu

Holandská firma ASML spolu s tchajwanským TSMC a jihokorejským Samsungem oznámily další krok směrem k pokročilejší výrobě čipů. Zahrnuje jak přechod na větší fotomasky, tak rozšíření nejnovější litografické technologie High NA EUV do dalších výrobních linek.

TSMC a ASML spustily společnou iniciativu na přechod celého odvětví na takzvané 12palcové fotomasky, tedy větší šablony používané při osvitu čipů. Větší fotomasky umožní vyrábět rozměrné čipy bez takzvaného stitchingu, čili skládání výsledného čipu z několika menších expozic. Pilotní linku na 12palcové masky chtějí obě firmy rozjet do roku 2031, do sériové výroby pokročilých čipů se má technologie dostat v roce 2033.

Podle technického ředitele ASML může přechod na 12palcové masky zvýšit produktivitu výrobních systémů až o 40 %. TSMC k iniciativě dodal, že jejím cílem je zvýšit produktivitu továren, snížit náklady na výrobu čipů a zbavit se omezení, která stitching přináší.

Samsung zároveň s ASML rozšířil dosavadní spolupráci a jako první firma v oboru nasadí litografii High NA EUV přímo do sériové výroby pamětí, konkrétně DRAM. Nasazení plánuje už na rok 2028.

TSMC chce technologii High NA EUV zavést do výroby pokročilých procesů o dva roky později, v roce 2030. Obě firmy tak litografii, kterou ASML donedávna nabízel hlavně jako budoucí technologii, začínají zapojovat do reálných výrobních plánů.

Přechod na větší fotomasky souvisí hlavně s rostoucími nároky nejnovějších AI čipů, jejichž plocha se čím dál častěji blíží fyzickým limitům současných masek. Bez stitchingu, který zvyšuje složitost i cenu výroby, si tak výrobci u největších čipů pro AI akcelerátory zatím nevystačí.