Mnohým z vás jistě neuniklo, že v Číně nedávno debutoval smartphone Realme GT Neo5, který zájemce láká na extrémně rychlé, 240W nabíjení, díky němuž lze kapacitu baterie dostat z nuly na sto do desíti minut. K nám se tento kousek dostane už brzy jako Realme GT3, ale nyní vyplavalo na povrch, že se ve finále nedočkáme stejné kvality. 

Většina lidí tak nějak předpokládala, že globální model nabídne stejný čipset jako ten čínský, tedy Snapdragon 8+ Gen 1. Uniklý výsledek testu v benchmarku Geekbench, na který upozornil server MySmartPrice, však ukazuje, že se půjde ještě o něco níž. 

Soudě podle získaného skóre a uvedených frekvencí jednotlivých jader bude Realme GT3 disponovat čipsetem Snapdragon 8 Gen 1, který je sice také vysoce výkonný a dokáže si snadno poradit i s náročnějšími herními tituly, ale současným konkurentům vybaveným novějším čipem Snapdragon 8 Gen 2 se zkrátka a jednoduše nevyrovná. Výrobce by alespoň neměl zklamat operační pamětí, jejíž kapacita bude dosahovat až 16 GB.  

Co se týče dalších předností chystaného smartphonu, vesměs už bychom mohli snad počítat s tím stejným, co mají k dispozici zákazníci v Číně. Podle dříve odhalených propagačních materiálů by například nemělo chybět RGB světlo umístěné vpravo od zadních fotoaparátů, které slouží nejen jako designový prvek, ale rovněž i jako ukazatel přijatých oznámení, vybité baterie nebo příchozího hovoru. Další detaily o v Číně dostupném smartphonu si můžete přečíst zde.

Realme GT3 bude odhalen už zítra v rámci konference MWC 2023. Očekává se i jeho následný příchod na český trh.