Realme v současné době připravuje první smartphone, který nabídne podporu 240W nabíjení. Společnost tuto ohromující hodnotu dokonce sama dříve potvrdila skrze svůj oficiální účet na čínské sociální síti Weibo. Na světlo světa se nyní dostaly výsledky testu v benchmarku Geekbench, které ukazují, že extrémně rychlé nabíjení není automaticky zárukou bezkonkurenčního výkonu.

Důvodem pro získání výrazně nižšího skóre, než jakým se mohou chlubit vlajkové lodě poslední doby, je čipset. Realme GT Neo5 totiž využívá byť dobrý, ale starší Snapdragon 8+ Gen 1. Ten sice dosahuje perfektních výsledků, avšak srovnávat jej s listopadovým Snapdragonem 8 Gen 2 je prakticky zbytečné.

gsmarena_008 (5).jpgZdroj: XiaomiAnTuTu zvolilo nejrychlejší prosincový Android smartphone střední třídy

Teď už ale k samotným výsledkům. Realme GT Neo5 se povedlo v single-core disciplíně získat 1 279 bodů, v multi-core pak toto zařízení dosáhlo na 3 902 bodů. Jen tak pro zajímavost: telefony vybavené Snapdragonem 8 Gen 2 nemají problém získat 1 400 a více bodů v single-core a přes 4 600 bodů v multi-core.

Realme GT Neo5 údajně nabídne 6,7palcový displej s rozlišením 1,5K a 144Hz obnovovací frekvencí. Na zadní straně pak najdeme 50Mpx hlavní fotoaparát s podporou optické stabilizace obrazu a 8Mpx ultra širokoúhlou kameru.

Pokud stále ještě dumáte nad tím, jak Realme ohlídá bezpečnost dobíjení 240W výkonem, hned vám to vysvětlím. Telefon bude prý disponovat třinácti teplotními senzory, jež budou sledovat celý proces nabíjení a zastaví jej v případě, že se baterka začne přílišně zahřívat. Realme navíc slibuje, že po 1 600 nabíjecích cyklech si telefon zachová 80 % své kapacity baterie. Pokud byste tedy telefon dobíjeli jednou denně, neměl by se nějak extrémně rychle vybíjet ani po čtyřech letech.