Nový Snapdragon 8 Elite Gen 5 má přinést mnohem vyšší výkon

Novinka, která má být představena 23. září, ponese název Snapdragon 8 Elite Gen 5. Hlavní zprávou je, že ačkoliv výkon znatelně vzroste, spotřeba energie se oproti současné generaci nezlepší.

Důvodem je podle všeho výrobní proces. Čip bude vyráběn na třetí generaci 3nm technologie od TSMC, označované jako N3P. Nejde však o zcela nový proces, ale spíše o jeho vylepšenou verzi. Ta nabízí buď mírné, 5% navýšení výkonu při stejné spotřebě, nebo 5-10% úsporu energie při stejných taktech.

Společnost Qualcomm si zjevně vybrala první možnost. Místo aby se soustředila na delší výdrž baterie, rozhodla se využít potenciál nového procesu k navýšení taktovacích frekvencí a maximalizaci hrubého výkonu. Skutečný mezigenerační skok v efektivitě tak přijde zřejmě až příští rok s přechodem na 2nm technologii.

Navzdory stejné spotřebě je však nový čip výrazně výkonnější. Dřívější úniky ukázaly, že i podtaktovaná verze v prototypu Galaxy S26 Edge, běžící na 4.00 GHz místo plných 4.74 GHz, dokázala v testech překonat současný Snapdragon 8 Elite.