Intel plánuje vylepšený proces 14A2, hustotu spojů stlačí na 21 nanometrů

Intel údajně připravuje u vylepšeného výrobního procesu 14A2 změnu v napájení čipů. Místo spoléhání na jedinou technologii by měl vsadit na hybridní řešení, které propojí rozvod energie zadní stranou křemíku s částečným využitím kovových vrstev na jeho přední straně. Firma tím reaguje na stále větší nároky nejmodernějších výrobních procesů i konkurenci v podobě TSMC a Samsungu.

Zatímco základní proces 14A počítá s roztečí nejnižší kovové vrstvy M0 kolem 28 nm, u verze 14A2 má klesnout přibližně na 21 nm. S dalším zmenšováním ale prudce roste elektrický odpor propojení, což komplikuje napájení čipu a může vést k výraznějším poklesům napětí.

Původně chtěl Intel využívat pouze technologii PowerDirect, tedy rozvod energie zadní stranou křemíku. Takové řešení uvolňuje prostor na horních vrstvách pro datové spoje a patří k největším inovacím, se kterými firma do výroby čipů přichází. S dalším zmenšováním tranzistorů se ale ukazuje, že limity začínají narážet i svislá propojení vedoucí skrz samotný křemík, která energii přivádějí ze spodní části čipu.

Právě proto má přijít ke slovu hybridní architektura. Zadní síť zůstane hlavní cestou pro napájení, část kovových vrstev na přední straně ale pomůže s rozvodem energie i hodinových signálů. Výsledkem má být stabilnější napájení bez nutnosti dělat kompromisy při dalším zvyšování hustoty tranzistorů.

O něco složitější návrh by měl Intelu přinést i vyšší výkon. U výrobního procesu 14A firma cílí na zhruba 30 % vyšší hustotu tranzistorů oproti současnému procesu 18A. Zkušební výroba je podle dostupných informací naplánována na rok 2028, sériová produkce by měla následovat o rok později. První verzi návrhových nástrojů pro zákazníky chce Intel zpřístupnit už letos v říjnu.